哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院2024年碩士研究生入學(xué)考試大綱：《半導(dǎo)體物理》

考試科目名稱：半導(dǎo)體物理 考試科目代碼：[806]

一、考試要求：

全面系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和物理過程，并能夠運(yùn)用理論對(duì)實(shí)際問題進(jìn)行分析和計(jì)算。

二、考試內(nèi)容：

1)能帶論

a: 半導(dǎo)體電子狀態(tài)和能帶

b: 半導(dǎo)體電子的運(yùn)動(dòng)

c: 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)

d: 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)

2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論

a: 硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)

3)載流子的統(tǒng)計(jì)分布

a: 狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計(jì)分布

b: 本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

c: 一般情況下載流子統(tǒng)計(jì)分布

d: 簡并半導(dǎo)體

4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

a: 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)與散射運(yùn)動(dòng)

b: 遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

5)非平衡載流子

a: 非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命

b: 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)

c: 復(fù)合理論

d: 陷阱效應(yīng)

e: 電流密度方程

f: 連續(xù)性方程

6)p-n結(jié)理論

a: p-n結(jié)及其能帶圖

b: p-n結(jié)電流電壓特性

7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論

a: 金-半接觸、能帶及整流理論

b: 歐姆接觸

8)半導(dǎo)體表面理論

a: 表面態(tài)及表面電場效應(yīng)

b: MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性

c: 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)

9)半導(dǎo)體光電效應(yīng)

a: 半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)和光吸收

b: 半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)

c: 半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)

三、試卷結(jié)構(gòu)：

a) 考試時(shí)間：180分鐘，滿分：150分

b) 題型結(jié)構(gòu)

a: 概念簡答題(30分)

b: 論述題 (60分)

c: 理論推導(dǎo)及應(yīng)用計(jì)算題 (60分)

四、參考書目

1. 劉恩科，半導(dǎo)體物理學(xué)(第四版)，國防工業(yè)出版社

2. 劉曉為等，固態(tài)電子論，電子工業(yè)出版社